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            MPS4SENS熱釋電紅外探測器

            簡要描述:MPS4SENS熱釋電紅外探測器:傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(優化范圍為 3 - 5 µm)、高達 100 Hz 的調制頻率的高靈敏度、由于膜片質量小而麥克風效應低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號。

            • 產品品牌:Micro-Hybrid
            • 廠商性質:經銷商
            • 更新時間:2025-11-04
            • 訪  問  量:1006

            詳細介紹

            品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

            MPS4SENS 3C-1

            MPS4SENS TEST

            MPS4SENS NOX

            MPS4SENS 3C-2

            MPS4SENS anesthesia

            描述

            高靈敏度的熱電四探測器允許同時測量一氧化碳(CO)(CWL:4650 ± 40 nm,HBW:180 ± 20 nm)、二氧化碳(CO2)(CWL:4265 ± 25 nm,HBW:120 ± 10 nm)和碳化合物(CWL:3400 ± 20 nm,HBW:140 ± 20 nm),并帶有參考通道(CWL:3910 ± 28 nm,HBW:70 ± 10 nm)。該探測器可在 -20 至 85 °C 的環境溫度下用于航空航天、醫學、工業和環境技術中的眾多應用。

            Micro-Hybrid 是一家在 TO39 封裝中生產具有高性能膜的 4 通道熱電探測器的制造商。由于采用了由陶瓷熱電材料制成的薄膜膜片,MPS4SENS 3C-1 二氧化碳熱探測器實現了高達 4.0*10^8 cm·Hz^(1/2)/W 的非常高探測度和高達 200,000 V/W 的靈敏度。Micro-Hybrid 的探測器設計使得讀出速率高達 100 Hz,以及響應時間短,從而在 NDIR 氣體分析中提供可靠的測量結果。

            傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(優化范圍為 3 - 5 µm)、高達 100 Hz 的調制頻率的高靈敏度、由于膜片質量小而麥克風效應低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號。

            MPS4SENS 3C-1 二氧化碳探測器作為標準版本有現貨供應。我們的銷售團隊將很樂意與您討論可能的個性化定制,以及大訂單量的分級價格。

            應用

            • NDIR 氣體分析

            • 氣體監測

            產品優勢

            • 更高的精度和信噪比

            • 由于內部信號放大,對外部干擾不敏感

            • 由于低熱質量,溫度波動的影響較小

            • 更高的讀出速率,高達 100 Hz

            • 響應時間短

            • 高性能解決方案,適用于苛刻應用

            特點

            • 4片基于MEMS的CPM膜片

            • 寬光譜靈敏度為2 – 15 µm,優化范圍為3 - 5 µm

            • 高響應度,調制頻率高達100 Hz

            • 由于膜片質量小,麥克風效應低

            • 非常低的溫度依賴性

            • 以電流模式放大的信號

            技術參數

            技術參數

            數據

            單位

            有效面積

            4 x (0.7 x 0.7)

            mm2

            相對孔徑

            4 x (1.5 x 1.5)

            mm2

            模式

            Current


            熱時間常數 t(0-63%)

            typ. 16

            ms

            電時間常數 t(0-63%)

            typ. 2

            ms

            交流靈敏度 1, 2, 3

            typ. 200 000

            V/W

            噪聲密度電壓 1

            typ. 50

            μV/Hz1/2

            噪聲等效功率 NEP 1, 2, 3

            typ. 4 x 10^

            W/Hz1/2

            特定探測度 D* 1, 2, 3

            typ. 4 x 10^

            cmHz1/2/W

            微音電壓 1

            typ. < 1000

            μV/g

            濾光片

            請參見文件“Infrared filters",可根據要求定制濾光片。

            工作電壓 VDD

            +5 ± 10 %

            V DC

            工作電壓 Voffset

            +2,5 ± 10 %

            V DC

            工作電流

            max. 10

            mA

            工作溫度

            -25 ... +85

            °C

            外殼

            TO39


            1. 在 Tamb = 25 °C,10 Hz,帶寬 1 Hz 下

            2. 黑體 T = 500 K;E = 38 W/m2

            3. 無窗口影響

            典型操作特性

            電氣示意圖

            電路

            等效電路圖

            機械制圖

            底部

            頂部

            截面圖

            產品概述

            型號

            類型

            填充氣體

            低溫度

            最高溫度

            相對孔徑

            氣體

            PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E1/F1/G2

            TO39 with cap

            Kr

            -20 °C

            85 °C

            1.5 mm

            3C with low CO?

            concentration

            PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-D2/E2/F1/G2

            TO39 with cap

            Kr

            -20 °C

            85 °C

            1.5 mm

            3C with low CO?

            concentration

            PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/E1/M1/D2

            TO39 with cap

            Kr

            -20 °C

            85 °C

            1.5 mm

            Test

            PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-I1/L1/H1/D5

            TO39 with cap

            Kr

            -20 °C

            85 °C

            1.5 mm

            NOX

            PS4x4C2-A-U-S1.5-Kr-E1/K1/V1/W1

            TO39 with cap

            Kr

            -20 °C

            85 °C

            1.5 mm

            Anesthesia


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